کمپانی سامسونگ از امروز، تولید انبوه حافظه 512 گیگابایتی eUFS 3.1 خود را که برای پرچمداران آینده در نظر گرفته شده است، آغاز کرد. گفته میشود که حافظه 512 گیگابایتی eUFS 3.1 سامسونگ نسبت به مدل پیشین (حافظه 512 گیگابایتی eUFS 3.0) از سرعت نوشتن اطلاعات (write speed) سه برابر بیشتر برخوردار است. مسئولان سامسونگ مدعی شدهاند که حافظه 512 گیگابایتی eUFS 3.1 قادر است تا سرعت تبادل اطلاعات 1 گیگابایت بر ثانیهای را برای اولین بار در تلفنهای هوشمند بشکند.
با امکان نوشتن اطلاعات با سرعت بیش از 1200 مگابایت بر ثانیه، کاربران قادر خواهند بود تا ویدئوهایی با فرمت 8K به همراه انبوهی از تصاویر با حجم بالا را روی دستگاه خود ذخیره کرده و بدون کاهش حجم یا مواردی از این قبیل، آنها را همواره با خود همراه داشته و هر زمان که اراده کردند، آنها را مشاهده کنند. مسئولان سامسونگ مدعی شدهاند محصولاتی که به حافظه 512 گیگابایتی eUFS 3.1 سامسونگ مجهز هستند، قادر خواهند بود تا تنها در 1.5 دقیقه، اطلاعات 100 گیگابایتی را به دستگاه خود انتقال دهند.
این شرکت کرهای همچنین در نظر دارد تا حافظه 128 و 256 گیگابایتی با این قابلیتها را نیز در سال جاری میلادی (2020) تولید و عرضه نماید.
در جدول زیر، میتوانید مقایسهای میان حافظههای مختلف تولید شده توسط سامسونگ را مرور کنید و تفاوتهای آنها را با یکدیگر بررسی کنید:
محصول | سرعت خواندن مداوم | سرعت نوشتن مداوم | سرعت خواندن تصادفی | سرعت نوشتن تصادفی |
---|---|---|---|---|
حافظه 512 گیگابایتی eUFS 3.1 (مارچ 2020) | 2100 MB/S | 1200MB/S(سه برابر بیشتر) | 100,000 IPOS (1.6 برابر بیشتر) | 70,000 IPOS (1.03 برابر بیشتر) |
حافظه 512 گیگابایتی eUFS 3.0 (فوریه 2019) | 2100 MB/S | 410 MB/S | 63,000 IOPS | 68,000 IOPS |
حافظه 1 ترابایتی eUFS 2.1 (ژانویه 2019) | 1000 MB/S | 260 MB/S | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
حافظه 512 گیگابایتی eUFS 2.1 (نوامبر 2017) | 860 MB/S | 255 MB/S | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |