گروه خبری GSM :سامسونگ مدعی شد یك حافظه جانبی دینامیك موبایل \"DRAM\" ساخته كه قادر است4 مرتبه سریعتر از فن آوریهای موجود به انتقال داده بپردازد و از طرفی انرژی كمتری مصرف كند.
به گزارش سرویس فن آوری اطلاعات خبرگزاری دانشجویان ایران (ایسنا)، سامسونگ اعلام كرد: این حافظه جانبی دینامیك \"DRAM\" یك گیگابایتی برای تلفنهای هوشمند و تبلتها ساخته شده و سرعت انتقال داده توسط آن 12.8 گیگابایت است.
مقامات سامسونگ اظهار داشتند مصرف انرژی این حافظه جانبی\"DRAM\" نزدیك به 87 درصد كمتر از سایر حافظههای جانبی است.
در مجموع 512 عددPIN برای انتقال دادهها در این حافظه جانبی استفاده شده این در حالیست كه حافظههای جانبی موجود در بازار حداكثر دارای 32 PIN هستند.
سامسونگ ادعا كرد: این محصول جدید میتواند حداكثر تا 1200 PIN را پشتیبانی كند. سامسونگ همچنین قصد دارد تا سال 2013 یك حافظه جانبی 4 گیگابایتی به بازار عرضه كند.
گروه خبری GSM :سامسونگ مدعی شد یك حافظه جانبی دینامیك موبایل \"DRAM\" ساخته كه قادر است4 مرتبه سریعتر از فن آوریهای موجود به انتقال داده بپردازد و از طرفی انرژی كمتری مصرف كند.
به گزارش سرویس فن آوری اطلاعات خبرگزاری دانشجویان ایران (ایسنا)، سامسونگ اعلام كرد: این حافظه جانبی دینامیك \"DRAM\" یك گیگابایتی برای تلفنهای هوشمند و تبلتها ساخته شده و سرعت انتقال داده توسط آن 12.8 گیگابایت است.
مقامات سامسونگ اظهار داشتند مصرف انرژی این حافظه جانبی\"DRAM\" نزدیك به 87 درصد كمتر از سایر حافظههای جانبی است.
در مجموع 512 عددPIN برای انتقال دادهها در این حافظه جانبی استفاده شده این در حالیست كه حافظههای جانبی موجود در بازار حداكثر دارای 32 PIN هستند.
سامسونگ ادعا كرد: این محصول جدید میتواند حداكثر تا 1200 PIN را پشتیبانی كند. سامسونگ همچنین قصد دارد تا سال 2013 یك حافظه جانبی 4 گیگابایتی به بازار عرضه كند.