تراشه ۲ نانومتری سامسونگ هسته‌های شخصی‌سازی‌شده خواهد داشت

بر اساس جدیدترین گزارش منتشر شده، سامسونگ و آرم در حال همکاری برای تولید و توسعه هسته‌های شخصی‌سازی‌شده آرم هستند که در تراشه ۲ نانومتری غول فناوری کره به کار می‌رود. سال آینده، سامسونگ فاندری مراحل ساخت تراشه ۲ نانومتری که از ترانزیستورهای GAA بهره خواهد برد را آغاز خواهد کرد. 

برخلاف ترانزیستورهای FinFET که در تراشه‌های نسل فعلی به کار می‌رود، ترانزیستورهای GAA از صفحات نانو افقی برخوردار است که به صورت عمودی روی شبکه‌ها قرار می‌گیرد. با بهره‌مندی از این ترانزیستورها، مصرف انرژی کاهش چشمگیری پیدا می‌کند و بازدهی فرآیند ساخت نیز بهبود پیدا می‌کند.

مدیر ارشد برند ARM Inc در اظهار نظری ادعا کرده که همکاری این شرکت با سامسونگ به نوآوری‌های قابل توجه و پیشرفته منجر شده است. این مقام رسمی آرم در ادامه اذعان داشته: «بهینه‌سازی هسته‌های کورتکس X و کورتکس A برای فرآیند ساخت تراشه‌های سامسونگ، چشم‌انداز ما (آرم و سامسونگ) برای آینده پردازش‌های موبایلی را ترسیم می‌کند و ما در نظر داریم که مرزهای توسعه سخت‌افزار را جابه‌جا کنیم تا قدرت و مصرف بهینه انرژی موردنیاز عصر هوش مصنوعی را فراهم کنیم.»

هسته‌های پردازنده کورتکس X بهترین عملکرد پردازشی فنی را در اختیار کاربران قرار می‌دهد در حالی که هسته‌های کورتکس A توازن بین قدرت پردازشی و مصرف بهینه انرژی را فراهم می‌کند. 

انتظار می‌رود نسخه‌های اختصاصی هسته‌های کورتکس X و کورتکس A در اولین نسل از خط تولید تراشه ۲ نانومتری سامسونگ موسوم به SF2 که سال آینده راه‌اندازی می‌شود به کار رود. 

یکی از مدیران ارشد سامسونگ فاندری اعلام کرده که با ورود به دوره هوش مصنوعی، همکاری  این برند با آرم به تولید محصولاتی نوآورانه ختم می‌شود و این سطح از همکاری‌های گسترده باعث شده که هسته‌های اختصاصی کورتکس X به جدیدترین فرآیند ساخت GAA وارد شود.

هفته گذشته، سامسونگ قراردادی را با اولین مشتری تراشه ۲ نانومتری خود یعنی شرکت Preferred Networks امضا کرد.