ده برابر شدن ظرفيت حافظه تلفن‌هاي همراه
تبلیغات
گروه خبری GSM: یك پژوهشگر روسی توانست الگوهای لیتوگرافی به ضخامت تنها 6 نانومتر و با فاصله 14 نانومتر از هم روی سطح ایجاد کند. فاصله 14 نانومتری میان این الگوها ظرفیت حافظه‌ها را در ابزارهای مختلفی همچون نسل جدید گوشی‌های تلفن همراه ده برابر افزایش خواهد داد.
به گزارش سرویس فناوری خبرگزاری دانشجویان ایران ایسنا: ودیم سیدورکین از یک میکروسکوپ یون هلیون(HIM) برای ایجاد یون‌های هلیوم بهره برد و با استفاده از این روش توانست نقاطی به قطر تنها 6 نانومتر بکشد.
وی كه مدرک دکترای خود را از دانشگاه TU Delft دریافت كرده است، ساخت کوچک‌ترین ساختارهای ممکن را با استفاده از تابش یونی و الکترونی بررسی کرد. در حال حاضر در بخش صنعتی از نور برای ایجاد ساختارهای بسیار کوچک روی مواد نیمه‌رسانا(مثلاً در تولید تراشه‌های رایانه‌ای) استفاده می‌شود.
در ایجاد نانوساختارها نه تنها قطر نقاط و خطوط منفردی که می‌توان ایجاد کرد مهم است، بلکه فاصله میان این نقاط و خطوط نیز از اهمیت بالایی برخوردار است. این امر برای تولید حافظه‌های با دانسیته بالاتر در ابزارهایی همچون گوشی‌های تلفن همراه ضروری است. فاصله 14 نانومتری که سیدورکین به آن دست یافته است، می‌تواند ظرفیت این ابزارها را تا 10 برابر افزایش دهد. این پژوهشگر روسی برای این‌که بتواند فاصله میان الگوها را به کمترین مقدار خود برساند، از یک لاک بسیار نازک سیلسِکوئی‌اُکسان هیدروژن(HSQ) که توسط محققان دانشگاه Delft به‌طور خاص برای همین منظور توسعه یافته بود، استفاده کرد.
سیدورکین عملکرد تابش یون هلیوم را با تابش الکترونی مقایسه کرده و دریافت که با استفاده از یون هلیوم می‌توان ساختارهای نزدیک‌تر به هم روی سطح حک كرد. از آن‌جایی که یون‌های هلیوم سنگین‌تر و بزرگ‌تر از الکترون هستند، می‌توانند با سرعت کمتری به روی سطح شلیک شده و در عین حال همان مقدار انرژی برخوردی را داشته باشند. همچنین این یون‌ها آسیب کمتری به ماده اطراف وارد می‌کنند، زیرا در برگشت از سطح فاصله کمتری طی کرده و میزان نفوذ افقی آن‌ها در خود ساختار ایجاد شده کمتر است.
گروه خبری GSM: یك پژوهشگر روسی توانست الگوهای لیتوگرافی به ضخامت تنها 6 نانومتر و با فاصله 14 نانومتر از هم روی سطح ایجاد کند. فاصله 14 نانومتری میان این الگوها ظرفیت حافظه‌ها را در ابزارهای مختلفی همچون نسل جدید گوشی‌های تلفن همراه ده برابر افزایش خواهد داد.
به گزارش سرویس فناوری خبرگزاری دانشجویان ایران ایسنا: ودیم سیدورکین از یک میکروسکوپ یون هلیون(HIM) برای ایجاد یون‌های هلیوم بهره برد و با استفاده از این روش توانست نقاطی به قطر تنها 6 نانومتر بکشد.
وی كه مدرک دکترای خود را از دانشگاه TU Delft دریافت كرده است، ساخت کوچک‌ترین ساختارهای ممکن را با استفاده از تابش یونی و الکترونی بررسی کرد. در حال حاضر در بخش صنعتی از نور برای ایجاد ساختارهای بسیار کوچک روی مواد نیمه‌رسانا(مثلاً در تولید تراشه‌های رایانه‌ای) استفاده می‌شود.
در ایجاد نانوساختارها نه تنها قطر نقاط و خطوط منفردی که می‌توان ایجاد کرد مهم است، بلکه فاصله میان این نقاط و خطوط نیز از اهمیت بالایی برخوردار است. این امر برای تولید حافظه‌های با دانسیته بالاتر در ابزارهایی همچون گوشی‌های تلفن همراه ضروری است. فاصله 14 نانومتری که سیدورکین به آن دست یافته است، می‌تواند ظرفیت این ابزارها را تا 10 برابر افزایش دهد. این پژوهشگر روسی برای این‌که بتواند فاصله میان الگوها را به کمترین مقدار خود برساند، از یک لاک بسیار نازک سیلسِکوئی‌اُکسان هیدروژن(HSQ) که توسط محققان دانشگاه Delft به‌طور خاص برای همین منظور توسعه یافته بود، استفاده کرد.
سیدورکین عملکرد تابش یون هلیوم را با تابش الکترونی مقایسه کرده و دریافت که با استفاده از یون هلیوم می‌توان ساختارهای نزدیک‌تر به هم روی سطح حک كرد. از آن‌جایی که یون‌های هلیوم سنگین‌تر و بزرگ‌تر از الکترون هستند، می‌توانند با سرعت کمتری به روی سطح شلیک شده و در عین حال همان مقدار انرژی برخوردی را داشته باشند. همچنین این یون‌ها آسیب کمتری به ماده اطراف وارد می‌کنند، زیرا در برگشت از سطح فاصله کمتری طی کرده و میزان نفوذ افقی آن‌ها در خود ساختار ایجاد شده کمتر است.
