آغاز ساخت نسل جدید حافظه‌های سامسونگ
تبلیغات
گروه خبری GSM: سامسونگ چند روز پیش از آغاز مرحله تولید تراشه فلش چندسطحی و 3 بیتی NAND خبر داد.
این کمپانی کره‌ای در ساخت تراشه فوق از فناوری 30 نانومتری بهره گرفته است. تراشه 3 بیتی جدید در مقایسه با تراشه 2 بیتی نسل قبلی، کارایی ابزاری را که روی آن سوار می شود تا 50 درصد افزایش می‌دهد. این تراشه همچنین باعث افزایش هرچه بیشتر ظرفیت حافظه فلش می‌شود. این مساله ظرفیت‌های 8، 16 و 32 گیگابایت را برای کاربران به همراه می‌آورد. علاوه بر این، می‌توان از آن در درایو USB و کارت حافظه microSD ابزارهایی همچون گوشی‌های تلفن همراه بهره گرفت.
سامسونگ همچنین مراحل تولید حافظه‌های 30 نانومتری 32 گیگابایت MLC NAND و DDR را آغاز کرده است.
این تراشه‌ها در مقایسه با هم‌نوعان نسل قبلی خود سرعت بالاتری در خواندن داده‌ها دارند. در ضمن، سرعت نوشتن و وارد کردن داده در آنها 133 مگابیت بر ثانیه است.
به گفته مسئولان سامسونگ، تراشه‌های فوق ابزارهای مناسبی برای ذخیره کردن تصایر ویدئویی و پخش آنها در دستگاه‌هایی مانند گوشی‌های هوشمند به شمار می‌آیند.
گروه خبری GSM: سامسونگ چند روز پیش از آغاز مرحله تولید تراشه فلش چندسطحی و 3 بیتی NAND خبر داد.
این کمپانی کره‌ای در ساخت تراشه فوق از فناوری 30 نانومتری بهره گرفته است. تراشه 3 بیتی جدید در مقایسه با تراشه 2 بیتی نسل قبلی، کارایی ابزاری را که روی آن سوار می شود تا 50 درصد افزایش می‌دهد. این تراشه همچنین باعث افزایش هرچه بیشتر ظرفیت حافظه فلش می‌شود. این مساله ظرفیت‌های 8، 16 و 32 گیگابایت را برای کاربران به همراه می‌آورد. علاوه بر این، می‌توان از آن در درایو USB و کارت حافظه microSD ابزارهایی همچون گوشی‌های تلفن همراه بهره گرفت.
سامسونگ همچنین مراحل تولید حافظه‌های 30 نانومتری 32 گیگابایت MLC NAND و DDR را آغاز کرده است.
این تراشه‌ها در مقایسه با هم‌نوعان نسل قبلی خود سرعت بالاتری در خواندن داده‌ها دارند. در ضمن، سرعت نوشتن و وارد کردن داده در آنها 133 مگابیت بر ثانیه است.
به گفته مسئولان سامسونگ، تراشه‌های فوق ابزارهای مناسبی برای ذخیره کردن تصایر ویدئویی و پخش آنها در دستگاه‌هایی مانند گوشی‌های هوشمند به شمار می‌آیند.
