سامسونگ و TSMC تنها شرکتهایی هستند که به تولید تراشه با گره ۳ نانومتری نزدیک شدهاند. در حالی که TSMC قصد دارد به استفاده از ترانزیستورهای FinFET خود برای تراشههای ۳ نانومتری ادامه دهد، سامسونگ قصد دارد از معماری GAA برای این نوع تراشهها استفاده کند. برطبق گزارش Wccftech شرکت TSMC فرآیند تولید تراشه ۳ نانومتری خود را سه ماه جلو انداخته است.
Morgan Stanley از این خبرگزاری میگوید بازده تولید برای این گره بالاتر از حد انتظار بوده و ممکن است TSMC کارخانه طراحی گره N3e را تا پایان این ماه متوقف کند. بخشی از این گزارش توسط کاربری به نام RetiredEngineer در توییتر منتشر شده که از گزارش مالی این شرکت متوجه شده که تولید انبوه برای گره فرآیند N3e ممکن است در سه ماهه دوم سال ۲۰۲۳ به جای سه ماهه سوم آن آغاز شود.

طبق گزارش Morgan Stanley، چگالی منطقی گره فرآیند N3e تقریبا ۸ درصد N3 اصلی با چهار لایه EUV کمتر است. دستگاه EUV از پرتوهای فرابنفش برای کمک به ایجاد الگوهای مدار روی ویفرها استفاده میکند. با توجه به تعداد ترانزیستورهایی که امروزه در داخل یک تراشه قرار میگیرند، این الگوهای مدار باید مانند پرتوهایی که این الگوها را ایجاد میکنند بسیار باریک باشند.
در ابتدا در رسانههای تایوانی شایعه شد که بازدهی تراشههای N3 شرکت TSMC بسیار پایین است. این بدان معنا بود که تعداد تراشههای روی ویفری که پروسه کنترل کیفیت را پشت سر نمیگذارد بسیار زیاد است. این گزارشها شامل شایعهای بود که بر طبق آن برخی شرکتها تصمیم گرفته بودن به دلیل بازدهی پایین گره ۳ نانومتری، همچنان از تراشههای ۵ نانومتری در محصولات خود استفاده کنند.
جلو انداختن سه ماهه زمان تولید فرآیند N3e هیچ تاثیری بر تولید تراشههای اصلی ۳ نانومتری N3 ندارد. انتظار میرود شرکت TSMC تولید تراشههای N3 را از سه ماهه سوم سال جاری آغاز کند و این سفارشها را در سه ماهه اول سال ۲۰۲۳ به مشتریان تحویل دهد. اما در مورد فرآیند جدید شرکتهای TSMC وسامسونگ یعنی N3e و 3GAE بعید است که تراشههای تولید شده با این فرآیندها را تا سه ماهه سوم یا چهارم سال ۲۰۲۳ در بازار ببینیم.

در یک کنفرانس تلفنی که اخیرا انجام شد، مدیر اجرایی TSMC آقای دکتر C.C. Wei در صحبتهایش به این نکته اشاره کرد که گره N3e، دارای پنجره فرآیند بهبود یافته با عملکرد، قدرت و بازدهی بهتر است؛ از این صحبت او میتوان نتیجه گرفت که او درباره یک تراشه ۳ نانومتری بهبود یافته صحبت میکند. در حالی که شرکت TSMC همچنان برترین کارخانه تولید تراشه در جهان است، رقیب اصلی او شرکت سامسونگ درگیر مشکلاتی نظیر تحقیقات در مورد برخی از کارمندانش است که ظاهرا در مورد قدرت و بازدهی تراشههای ۵ نانومتری سامسونگ اغراق کردهاند و افکار عمومی را فریب دادهاند.
ظاهرا دلیل این امر این بوده که به نظر برسد همه چیز برای سامسونگ خوب پیش میرود، زیرا سرمایهای که قرار بود برای این واحد استفاده شود از بین رفته است. برای مثال بازده تراشه ۴ نانومتری سامسونگ ۳۵ درصد بوده است که در مقابل بازده ۷۰ درصدی تراشه ۴ نانومتری TSMC بسیار کمتر است. این اعداد و ارقام ناامید کننده باعث شد که شرکت کوالکام تغییر وضعیت دهد و برنامه تولید تراشه پرچمدار جدید خود یعنی اسنپدراگون 8 نسل 2 را در سامسونگ متوقف و تولید آن را صرفا به TSMC محول کند. این بازدهی کم تراشههای سامسونگ تبعات دیگری را نیز در پی دارد؛ مثلا باعث میشود تولید تراشهها برای محصولات الکترونیکی کم شوند زیرا به جای دو کارخانه فقط یک کارخانه برای یک نوع خاص تراشه وجود خواهد داشت. همچنین رقابت در این حوزه نیز به خطر میافتد.
سال گذشته سامسونگ تراشه اسنپدراگون 888 را تولید کرد، همچنینی امسال تولید اسنپدراگون 8 نسل 1 برعهده سامسونگ بود. حالا ورق برگشته و سامسونگ با اعداد و ارقام جعلی باعث شده که هم برای خود، هم برای صنعت تولید تراشهها مشکلاتی ایجاد شود و این شرکت درآمدهای زیادی را با این رسوایی از دست داده است. زیرا مشتری بزرگی مانند کوالکام وقتی که نتواند به آمار بازدهی تراشههای سامسونگ اعتماد کند، چارهای جز تغییر رویه ندارد.
شما فکر میکنید آیا سامسونگ میتواند اعتماد از دست رفته در صنعت تراشهها را نسبت به خود بازیابی کند؟ چقدر مشکلاتی از این دست میتواند باعث شود که تولید تراشه در دنیا تحت تاثیر قرار گیرد؟
نظرات(0)