مدیر عامل TSMC از برنامه‌های آینده این شرکت و زمان تولید تراشه‌های ۲ نانومتری خبر داده است

نسل بعدی چیپست‌های تولید شده با استفاده از گره فرآیند ۳ نانومتری از سال آینده به طور گسترده در گوشی‌های هوشمند و سایر دستگاه‌های تلفن همراه استفاده خواهند شد. اما فرآیند تولید این چیپست‌های پیچیده با میلیاردها ترانزیستور بسیار زمان‌بر است و شرکت‌ها باید از سال‌ها قبل شروع به ساخت کارخانه و سایر امکانات کنند. به گفته مدیر عامل TSMC، بزرگ‌ترین شرکت تولید تراشه در دنیا، این شرکت اخیرا برنامه‌های خود را برای ساخت تراشه‌های ۲ نانومتری ارائه کرده است و انتظار دارد در سال ۲۰۲۶ ارسال به مشتریان را آغاز کند.

به طور معمول هرچه فرآیند گره کوچک‌تر باشد، تعداد ترانزیستورهایی که در یک چیپ جای می‌گیرند بیشتر می‌شوند، و زمانی که تعداد ترانزیستورهای درون یک چیپست بیشتر می‌شوند، قدرت آن پردازنده بالاتر می‌رود و انرژی مصرفی آن کاهش می‌یابد. نمونه آن را می‌توان تراشه A15 Bionic اپل نام برد که دارای ۱۵ میلیارد ترانزیستور است که در مقایسه با A14 Bionic با ۱۱٫۸ میلیارد ترانزیستور قدرتمندتر است اما مصرف انرژی کمتری دارد.

شرکت TSMC انتظار دارد تا سال ۲۰۲۶ عرضه تراشه‌های ۲ نانومتری خود را آغاز کند

در این هفته مدیر عامل شرکت TSMC آقای C.C. Wei در مورد برنامه‌های این شرکت صحبتی داشته و گفته که TSMC در مسیر توسعه چیپ‌های ۲ نانومتری است که با نام N2 شناخته می‌شوند. آقای Wei تایید کرده ترانزیستورهایی که شرکت TSMC در فرآیند ۲ نانومتری استفاده خواهد کرد Gate-All-Around یا GAA خواهد بود. این شرکت همچنان به لیتوگرافی فرابنفش شدید ASML تکیه خواهد کرد تا ویفرها را با الگوهای مداری مورد نیاز برای جا دادن میلیاردها ترانزیستور در داخل هر قالب مشخص کند.

او همچنین اضافه کرده که توسعه فرآیند N2، از جمله ساختار ترانزیستور، طبق انتظار ما در حال پیشروی است. در این فرآیند ما در سال ۲۰۲۴ ریسک‌های موجود را بررسی خواهیم کرد، سپس احتمالا در نیمه دوم یا اواخر سال ۲۰۲۵ تولید انبوه آغاز می‌شود.

مشتریان TSMC از جمله اپل، دریافت تراشه‌های ۲ نانومتری را در سال ۲۰۲۶ آغاز خواهند کرد. در حالی که TSMC از ترانزیستورهای GAA برای حالت ۲ نانومتری استفاده خواهد کرد، به استفاده از FinFET برای تولید ۳ نانومتری ادامه خواهد داد در حالی که سامسونگ از GAA برای تراشه‌های ۳ نانومتری خود قرار است استفاده کند.

با وجود پیشروی دو تا سه ساله سامسونگ در این زمینه، مدیر عامل TSMC می‌گوید که نسل اول GAA بهترین فناوری موجود خواهد بود. او همچنین گفته: «انتظار داریم فناوری N2 ما بهترین فناوری باشد که بلوغ و عملکرد را برای مشتریانمان ارائه کند. ما مطمئن هستیم که N2 رهبری فناوری ما را برای حمایت از رشد مشتری ادامه خواهد داد».

در مقایسه با سامسونگ و اینتل، TSMC با سرعت بیشتری برای تولید ۲ و ۳ نانومتری خود در حال کار است. همانطور که گفتیم سامسونگ در حال حاضر به دنبال استفاده از GAA برای گره فرآیند ۳ نانومتری خود بر روی تراشه‌هایی است که در سال آینده برای مشتریان ارسال می‌شود. در این میان اما اینتل قصد دارد از نوعی ترانزیستور GAA به نام Ribbon FET در ترکیب با دستگاه لیتوگرافی جدید ASML استفاده کند.

سامسونگ اولین پیشتاز در استفاده از معماری GAA ترانزیستورها است

TSMC هنوز معتقد است که FinFET لازم است تا چند سال دیگر تا تغییر بعدی در ترانزیستورهایش باقی بماند. این شرکت هر دو سال یک بار به یک گره فرآیند جدید به روز می‌شد، اما اکنون به نظر می‌رسد که هر سه سال یک بار این تغییر انجام می‌شود. اینتل هم در این صنعت سخت در تلاش است تا از بقیه عقب نماند. در ماه اکتبر Pat Gelsinger مدیر اجرایی اینتل گفت که این شرکت رهبری این فرآیند را در این صنعت دوباره بدست خواهد آورد و تا سال ۲۰۲۵ از TSMC و سامسونگ پیشی خواهد گرفت. او در مورد قانون مور هم گفته که قانون مور زنده و سالم است. امروز ما پیش‌بینی می‌کنیم که قانون مور را برای دهههای آینده حفظ خواهیم کرد یا حتی سریع‌تر از آن پیش خواهیم رفت. ما به عنوان مباشران قانون مور در مسیر خود برای نوآوری، سریع‌تر از قبل قدم برخواهیم داشت.

حال باید دید که تا سال ۲۰۲۶ پیش‌بینی مدیر اجرایی اینتل تا کجا پیش خواهد رفت و به طور کامل محقق خواهد شد یا خیر.