سامسونگ آماده تولید انبوه نسل سوم تراشه‌های ۴ نانومتری است

براساس جدیدترین گزارش منتشر شده، بخش تراشه‌سازی سامسونگ چراغ سبز را برای تولید انبوه نسل سوم تراشه‌های ۴ نانومتری را دریافت کرده است. همانطور که منابع کره‌ای اذعان داشته‌اند، غول فناوری کره جنوبی موفق شده است توسعه فناوری تراشه‌های ۴ نانومتری خود را با موفقیت به اتمام برساند. در این راستا، انتظار می‌رود سخت‌افزارهای جدید سامسونگ در زمینه مصرف بهینه انرژی بهبود چشمگیری پیدا کنند. 

طبق این گزارش، تولید انبوه نسل سوم تراشه‌های ۴ نانومتری سامسونگ در پایان نیمه اول سال جاری میلادی آغاز خواهد شد. با توجه به این موضوع، انتظار می‌رود سامسونگ فرآیند ساخت سخت‌افزار خود را در ماه ژوئن سال ۲۰۲۳ شروع کند. 

شایان ذکر است که تولید ویفر در کارخانه Hwaseong سامسونگ به قدری پایین بوده است که شرکت‌هایی مانند کوالکام مجبور شدند برای تراشه ۴ نانومتری با شرکت TSMC قرارداد منعقد کنند. برای مقایسه،‌ شرکت تایوانی TSMC در حدود ۷۰ الی ۸۰ درصد ویفر قابل استفاده در اختیار دارد در حالی که تنها نزدیک به ۶۰ درصد از ویفرهای سامسونگ قابل بهره‌برداری هستند. از آنجایی که تولیدکنندگان برای همه ویفرها هزینه پرداخت می‌کنند، منطقی است به سراغ شرکتی بروند که کمترین میزان هدررفت را دارد. 

انتظار می‌رود نسل بعدی تراشه‌های گوشی‌های هوشمند برپایه لیتوگرافی ۳ نانومتری توسعه پیدا کنند. در این راستا، شایعه شده است که مدل‌های آیفون ۱۵ پرو و آیفون ۱۵ پرو مکس (الترا) به تراشه‌های ۳ نانومتری مجهز خواهند بود. در حال حاضر، تراشه‌های ۴ و ۵ نانومتری با حضور در ۲۲ درصد از گوشی‌های هوشمند محبوب‌ترین فرایند ساخت بین تولیدکنندگان محسوب می‌شود. ۱۷ درصد گوشی‌های هوشمند نیز با تراشه‌های ۶ و ۷ نانومتری عرضه شده‌اند. 

در نهایت باید اشاره کرد که تولید تراشه‌های ۴ نانومتری در آینده افزایش چشمگیری خواهد داشت چرا که هر دو شرکت‌های سامسونگ و TSMC قصد دارد کارخانه‌هایی را در آمریکای شمالی احداث کنند. این کارخانه به احتمال زیاد تا سال ۲۰۲۴ آماده خواهد شد و وارد فاز عملیاتی می‌شود.