سامسونگ در راه دستیابی به فناوری ساخت پردازشگرهای7، 5 و3 نانومتری

پردازنده 7 نانومتری LPP اولین تجربه سامسونگ در استفاده از یک راه‌حل لیتوگرافی EUV خواهد بود و احتمالا در نیمه دوم سال جاری آماده تولید می‌شود. تولید انبوه قطعاتی که ازاین فناوری جدید بهره می‌برند نیز قرار است در نیمه اول سال 2019 شروع شود و این در حالیست که TSMC، رقیب سامسونگ در این زمینه، تولید انبوه قطعاتی که مجهز به پردازنده 7 نانومتری هستند( و از لیتوگرافی EUV بهره می‌برند) و همچنین تولید پرریسک گره‌های 5 نانومتری خود را به زودی آغاز خواهد کرد.

تراشه‌های مبتنی بر فناوری پردازشی 5 نانومتری (LPE) سامسونگ، مصرف انرژی فوق العاده کمی دارد. تراشه‌های جدیدتر نیز به منظور به خدمت گرفتن ترانزیستورهای FinFET با استفاده از فناوری 4 نانومتری (Low Power Early/Plus) تولید خواهند شد. تراشه‌های ساخته شده با این فناوری عملکرد بهبود یافته و اندازه سلولی کوچکتری خواهند داشت. تولید دو پردازنده ذکر شده قرار است به ترتیب در سال‌های 2019 و 2020 آغاز شود.

 اوایل سال جاری، گزارشی در کره منتشر شد که از ساخت پردازنده 7 نانومتری اسنپدراگون 855 توسط ساسسونگ خبر می‌داد، احتمال می‌رود این شرکت درتولید گلکسی S10، محصول سال آینده‌اش، از این پردازنده بهره ببرد.

سامسونگ برای تولید نود 3 نانومتری، از نسل بعدی معماری (GAA (Gate all-round خود یعنی MBCFET استفاده خواهد کرد. انتظار نمی‌رود که تولید پردازنده‌های برخوردار از این فناوری پیش از سال 2022 آغاز شود. در نظر داشته باشید که به لطف وجود نودهایی که اندازه کوچکتری دارند ، می‌توان تراشه‌های قدرتمندتری تولید کرد که از نظر مصرف انرژی مقرون به صرفه‌تر هستند.